SVT Associates, Inc.

Молекулярно-пучковая эпитаксия (MBE)

SVTA установки МВЕ:

R&D MBE System

Система МВЕ для исследования и разработок специально разработана SVTA для осаждения высококачественных пленок в небольших исследовательских лабораториях или Универсистетах. Хотя данная система компактна по размерам, она может иметь от 4-х до 8-и эффузионных ячеек или других источников испарения материалов.

Подробнее в брошюре:SVTA_SMART_NanoFab_MBE.pdf

Nitride MBE Systems

Системы осаждения нитридов специально разработаны компанией SVTA для осаждения высококачественных пленок Нитридов Галлия и Алюминия, других. Модуль роста внутри установки сделан таким образом, чтобы долго работать в условиях высокого содержания активного азота и имеет высокотемпературное устройство нагрева подложек для роста пленок с высокой однородностью. Активные компоненты азота генерируются либо с применением ВЧ-источника плазмы или с помощью источника аммиака.

Базовая система состоит из двух модулей: Модуля эпитаксиального роста и модуля Подготовки/Загрузки/Буферизации. МВЕ установка для роста нитридов поставляется либо в линейной или угловой конфигурации. Имеются также различные модули встройки в кластерные системы.

Брошюра на англ. языке: NitrideBrochure.pdf

OxideMBE

Системы МВЕ для синтеза оксидных пленок были разработаны компанией SVTA и выпускаются в модификациях для роста высококачественных сверхпроводящих пленок, полупроводниковых структур с оксидами металлов и др. Модуль роста внутри установки сделан таким образом, чтобы долго работать в условиях высокого содержания активного кислорода и имеет высокотемпературное устройство нагрева подложек для роста пленок с высокой однородностью. Активные окислительные компоненты генерируются либо с применением ВЧ-источника плазмы или с помощью источника озона.

Базовая система состоит из двух модулей: Модуля эпитаксиального роста и модуля Подготовки/Загрузки/Буферизации. Компания SVTA для систем данного типа имеет как стандвртные вакуумные камеры, так и изготовленные по спецификации заказчиков. Эти камеры могут быть дополнены высоковакуумными источниками электронно-лучевого испарения или эффузионными ячейками в зависимости от применений. Любые дополнительные модули манипуляции подложек или характеризации пленок во время или после роста также имеются в линейке продуктов компании.

Брошюра на англ. языке: OxideBrochure.pdf

III-V or II-VI MBE Systems

Системы молекулярно-лучевой эпитаксии серии МВЕ35 были созданы компанией SVTA специально для роста высококачественных сложных полупроводниковых материалов с высокой мобильностью носителей зарядов на различных по размерам подложках. Модульный концепт системы весьма гибок и позволяет подстраиваться под разные требования заказчиков. Систему можно легко адаптировать под рост III-V или II-VI материалов или под обе задачи сразу. Базовая система состоит из двух модулей: Модуля эпитаксиального роста и модуля Подготовки/Загрузки/Буферизации. Каждый модуль имеет свою независимую систему вакуумной откачки и может быть изолирован от других модулей высоковакуумными затворами.

Система может использовать разные источники материалов: источники испарения твердых материалов и газообразных материалов, включая вентильные источники и источники расщепления молекулярных связей. Гибкость конфигурации этой системы позволяет использовать или адаптировать ее под бесчисленное множество применений и исследовательских процессов. МВЕ установка этой серии поставляется либо в линейной либо в угловой конфигурации. Имеются также различные модули встройки в кластерные системы. Включая центральный робот-распределитель.

Laser MBE Systems

Лазерная абляция является хорошей техникой для осаждения материалов при эпитаксиальном росте разных пленок. SVTA предлагает системы оптимизированные под Лазерную Молекулярно-лучевую эпитаксию (Laser MBE) с использованием соответствующих стандартных компонентов от систем МВЕ или адаптированную под задачи заказчика систему пульсационно-лазерного осаждения (PLD), использующие лазерное излучение как основной элемент получения потоков испаренного материала.

Другие лазерные МВЕ системы от SVTA могут комбинировать элементы лазерной абляции с другими источниками материалов, что позволяет более гибко подходить к конфигурации системы. Использование лазерного излучения позволяет испарять керамические материалы с высокой температурой плавления или многокомпонентные вещества из твердой фазы.

Особенности систем МВЕ с лазером:

Сверхвысокий и высокий вакуум
До 6 индексируемых позиций под мишени
Эксимерный мощный лазер или лазер ИК-диапазона
Полный ПК контроль и загрузка/сохранение данных
Множественные источники испарения материалов
ВЧ источники плазмы
Эффузионные ячейки
Электронно-лучевое испарение
Система подачи высокочистого озона
Передовая система контроля за температурой образцов и мониторинг толщины осаждаемой пленки
Монитор потоков материалов на принципах атомной абсорбции
Дифракция быстрых электронов на отражение (RHEED)
Продвинутые системы откачки рабочей камеры

Cleaving System

Данная установка компании SVT Assosiates, предназначена для расщепления пластин (кристаллов) на полоски/бруски в высоковакуумной камере и их пассивации в пределах одного вакуумного цикла.

Модуль расщепления кристаллов образцов и их перемещения в данной модели предназначен для работы с образцами кристаллов-резонаторов длиной 12 мм (опция 15 мм) и расщепляет на бруски шириной до 1 мм.

Далее бруски группируются и могут быть перемещены в модуль для осаждения тонких пленок на края брусков.

Основные выпускаемые системы и технологии:

Основные выпускаемые продукты и компоненты:

Средства и модули характеризации пленок:

Дополнительная информация:

Технологии PLD
Элементы ваккумных систем
Расходные материалы

Запрос на интересующее оборудование Вы можете прислать нам по адресу: tech@cryosystems.ru или по факсу +7 (495) 663-3039 для отдела оборудования для микро- и наноэлектроники и мы вышлем Вам коммерческое предложение или предоставим дополнительную информацию в разумные сроки.